半導体デバイスを長期に渡って使用するためには、Electromigration、 Stress-induced Voiding、Low-k TDDBなどの長期信頼性を決定する故障を予測、抑制する必要があります．長期にビッグデータを保管することを目的としたメモリデバイスや、電力制御を司るパワーデバイスについて、その故障メカニズムと評価・寿命予測の技術を研究しています．近年は、非一様性（欠陥クラスタリング）を仮定した寿命分布やその統計解析に関する研究などに取り組んでいます．