研究業績

学術論文

  • S. Yokogawa; “Two-step probability plot for parameter estimation of lifetime distribution affected by defect clustering in time-dependent dielectric breakdown”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, pp. 07KG02-1-6 (2017).
  • 山崎 雄大,横川慎二, 鈴木和幸; "トラブル予測表を用いた故障モード予測方法と信頼性・安全性の作りこみ評価指標の提案", 日本信頼性学会誌, Vol.38,No.4, pp.271-283 (2016).
  • S. Yokogawa; “A simulation study for lifetime distribution of time-dependent dielectric breakdown in middle-of-line affected by global and local space variations”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, 06JF02-1-6 (2016).
  • S. Yokogawa; “Statistical characteristics of lifetime distribution based on the defect clustering for time-dependent dielectric breakdown in middle- and back-end-of-line”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 54, 05EC02-1-05EC2-10 (2015).
  • 横川慎二;“Cu配線の信頼性と界面:EM, SIV, TDDBにおける界面の寄与と制御”,表面化学,Vol.35, No.5, pp. 256-261, (2014) 招待論文.
  • S. Yokogawa; “Lifetime Prediction Model of Stress-induced Voiding in Cu/low-k Interconnects”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, pp. 05GA03-1- 05GA03-6 (2014).
  • D. Oshida, I. Kume, H. Katsuyama, M. Ueki, M. Iguchi, S. Yokogawa, N. Inoue, N. Oda, M. Sakurai; “Highly Reliable Molecular-Pore-Stacking (MPS) /Cu Interconnects Featuring Best Combination of Post-etching Treatment and Resputtering Processes”, Microelectronics Engineering, Vol.118, pp.72-78 (2014).
  • S. Yokogawa and H. Tsuchiya; “Lifetime Distribution Analysis of Stress-induced Voiding Based on Void Nucleation and Growth in Cu/low-κ Interconnects”, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Vol.13, pp.272-276 (2013).
  • H. Tsuchiya, S. Yokogawa, H. Kunishima, T. Kuwajima, T. Usami, Y. Miura, K. Ohto, K. Fujii, and M. Sakurai; “Moisture Absorption Impact on Cu-alloy/low-k Reliability during Process Queue Time”, Microelectronics Engineering, Vol.106, pp.205-209 (2013).
  • T. Usami, Y. Miura, T. Nakamura, H. Tsuchiya, C. Kobayashi, K. Ohto, S. Hiroshima, M. Tanaka, H. Kunishima, I. Ishizuka, T. Kuwajima, M. Sakurai, S. Yokogawa and K. Fujii; “Highly Reliable Enhanced Nitride Interface Process of Barrier Low-k using Ultra-Thin SiN with Moisture Blocking Capability”, Microelectronics Engineering, Vol.112, pp.97-102 (2013).
  • S. Yokogawa, H. Tsuchiya, and T. Shimizu; “Thermal Transient Response and its Modeling for Joule Heating in Cu/Low-κ Interconnects under Pulsed Current”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, 05EC06-1-5 (2012).
  • S. Yokogawa and Y. Kakuhara; “Role of Impurity Segregation into Cu/Cap Interface and Grain Boundary in Resistivity and Electromigration of Cu/Low-k Interconnects”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.5, 05EA02-1-7 (2011).
  • M. Nojima, M. Fujii, Y. Kakuhara, H. Tsuchiya, A. Kameyama, S. Yokogawa, M. Owari, and Y. Nihei; Failure analysis of fine Cu patterning by shave-off profiling”, Surface and Interface Analysis, Vol.43, pp. 621-624 (2011).
  • S. Yokogawa and H. Tsuchiya; “Statistical Analysis of Lifetime Distribution of Time-dependent Dielectric Breakdown in Cu/low-k Interconnects by Incorporation of Overlay Error Model”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.5, 05FE01-1-4 (2010).
  • Y. Kakuhara, S. Yokogawa, and K. Ueno; “Comparison of Lifetime Improvements in Electromigration between Ti Barrier Metal and Chemical Vapor Deposition Co Capping”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, 04DB08-1-5 (2010).
  • Y. Kakuhara, S. Yokogawa, M. Hiroi, T. Takewaki, and K. Ueno; “Suppression of Electromigration Early Failure of Cu/Porous Low-k Interconnects Using Dummy Metal”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, 096504 (2009).
  • S. Yokogawa, Y. Kakuhara, H. Tsuchiya, and K. Kikuta; “Analysis of Al Doping Effects on Resistivity and Electromigration of Copper Interconnects”, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Vol.8, pp.216-221 (2008).
  • S. Yokogawa, K. Kikuta, H. Tsuchiya, T. Takewaki, M. Suzuki, H. Toyoshima, Y. Kakuhara, N. Kawahara, T. Usami, K. Ohto, K. Fujii, Y. Tsuchiya, K. Arita, K. Motoyama, M. Tohara, T. Taiji, T. Kurokawa, and M. Sekine; “Trade-Off Characteristics Between Resistivity and Reliability for Scaled-Down Cu-Based Interconnects”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.55, pp.350-357 (2008).
  • S. Yokogawa and H. Tsuchiya; “Effects of Al doping on the electromigration performance of damascene Cu interconnects”, Journal of Applied Physics, Vol.101, pp.013513-1-6 (2007).
  • N. Oda, S. Ito, T. Takewaki, K. Shiba, H. Kunishima, N. Hironaga, I. Honma, H. Namba, S. Yokogawa, A. Kameyama, T. Goto, T. Usami, K. Ohto, A. Kubo, M. Suzuki, Y. Yamamoto, S. Watanabe, K. Yamada, M. Ikeda, K. Ueno, and T.Horiuchi; “A Robust Embedded Ladder-oxide/Cu Multilevel Interconnect Technology for 0.13μm Complementary Metal Oxide Semiconductor Generation”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.3A, pp.954-961 (2007).
  • H. Tsuchiya and S. Yokogawa,; “Electromigration Lifetimes and Void Growth at low Cumulative Failure Probability”, Microelectronics Reliability, Vol.46, pp.1415–1420 (2006).
  • S. Yokogawa and H. Tsuchiya; “Scaling Impacts on Electromigration in Narrow Single-Damascene Cu Interconnects”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.44, No.4A, pp.1717-1721 (2005).
  • 横川慎二; “シングルダマシンCu配線におけるパルス電流下のエレクトロマイグレーション挙動”, 電子情報通信学会誌, Vol.88-C, No.4, pp.253-260 (2005).
  • S. Yokogawa; “Electromigration-Induced Void Growth Kinetics in SiNx passivated Single-Damascene Cu Lines”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.43, No.9A, pp.5990-5996 (2004).
  • 横川慎二; “サドンデスTEGとOBIRCHを用いたダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価”, 日本信頼性学会誌, Vol.25, No.8, pp.811-820(2003).
  • S. Yokogawa, N. Okada, Y. Kakuhara and H. Takizawa; “Electromigration Performance of Multi-level Damascene Copper Interconnects”, Microelectronics Reliability, Vol.41, pp.1409-1416 (2001).
  • 横川慎二, 鈴木和幸; “劣化量データを用いた設備の最適保全方策とパラメータ推定”, 日本設備管理学会誌, Vol.5, No.3, pp.3-12 (1993).
  • 鈴木和幸, 真木浩司, 横川慎二; “劣化量データを用いた寿命特性推定法に関する一考察 -拡散の故障メカニズムに基づく場合-”, 日本信頼性学会誌, Vol.15, No.2, pp.6-13 (1993).

 

学位論文

横川慎二; “LSI微細Cu配線におけるエレクトロマイグレーション信頼性に関する研究”, 国立大学法人電気通信大学, 博乙第122号 (2008).

横川慎二; “劣化量データを用いた設備の最適保全方策とパラメータ推定に関する研究”, 国立大学法人電気通信大学, 修第2569号 (1994).

 

国際会議

  • P. Gomasang, T. Abe, S. Ogiue, H. Ura, S. Yokogawa , and K. Ueno; "High Temperature and High Humidity Accelerations to Estimate the Lifetime of Cu Metallization for LSIs", Proc. of 13th International Conference on Ecomaterials (2017).
  • K. Tate and S. Yokogawa; "Statistical evaluation of lifetime distribution with defect clustering by using two-step probability plot and multi-link test scheme", Proc. of Advanced Metallization Conference 2017: 27th Asian Session 2017 ADMETA plus, pp.78-79 (2017).
  • S. Yokogawa and K. Kunii; "Application of fault tree analysis for interconnect reliability assessment ", Proc. of Advanced Metallization Conference 2017: 27th Asian Session 2017 ADMETA plus, pp.80-81 (2017).
  • S. Yokogawa; "Impacts of Censoring on Lifetime Analysis by 2-step Probability Plot in Defect Clustered TDDB", IEEE International Reliability Physics Symposium, DG-3.1-6 (2017).
  • S. Yokogawa; "A simple method of parameter estimating for time-dependent clustering model in MOL/BEOL TDDB lifetime", Proc. of Advanced Metallization Conference 2016: 26th Asian Session 2016 ADMETA plus, pp.24-25 (2016).
  • S. Yokogawa; “A simulation study of impacts of global and local space variations on lifetime distribution in MOL/BEOL TDDB”, Proc. of Advanced Metallization Conference 2015: 25th Asian Session 2015 ADMETA plus (2015).
  • S. Yokogawa; “Middle of Line (MOL) Reliability –in between FEOL and BEOL-”, Tutorial of International Reliability Physics Symposium, invited (2015).
  • H. Ichikawa, A. Ahmed, H. Hanafusa, S. Yokogawa, Y. Kawakita, K. Sawada, H. Mikami, N. Yoshikawa, “Virtual Grid for Renewable Energy Society”, IEEE ISGT Asia (2015).
  • S. Yokogawa; “An analysis of statistical characteristics of lifetime distribution based on the defect clustering for MOL/BEOL TDDB”, Proc. of Advanced Metallization Conference 2014: 24st Asian Session 2014 ADMETA plus, pp. P-15.1-P-15.2 (2014).
  • S. Yokogawa; “Lifetime Prediction of Stress-induced Voiding in Nose-shape Lines by Stress-diffusion Analytical Model”, IEEE International Reliability Physics Symposium, pp. 2A.3.1-2A.3.5 (2014).
  • S. Yokogawa; “Lifetime Prediction Model for Stress-induced Voiding in Cu/low-k Interconnects”, Proc. of Advanced Metallization Conference 2013: 23rd Asian Session, Session 6-2 (2013).
  • S. Yokogawa, H. Tsuchiya, and T. Shimizu; “Modified thermal response model for Joule heating of multi-level Cu/Low-k interconnects”, Proc. of 2011 ADMETA plus, pp.36-37 (2011).
  • S. Yokogawa, S. Uno, I. Kato, H. Tsuchiya, T. Shimizu, and M. Sakamoto; “Statistics of Breakdown Field and Time-Dependent Dielectric Breakdown in Contact-to-Poly Modules”, Proceedings of 2011 International Reliability Physics Symposium, pp.149-154 (2011).
  • S. Yokogawa and Y. Kakuhara; “Role of Impurity Segregation to Cu/Cap Interface and Grain Boundary on Resistivity and Electromigration in Cu/low-k Interconnects”, Advanced Metallization Conference (US and Asian session), Proceedings of 2010 Advanced Metallization Conference Asian Session, pp.64-65 (2010), invited (AMC).
  • S. Yokogawa, H. Tsuchiya, and Y. Kakuhara; “Effective Thermal Characteristics to Suppress Joule Heating Impacts on Electromigration in Cu/Low-k Interconnects”, Proceedings of 2010 International Reliability Physics Symposium, pp.717-723 (2010).
  • S. Yokogawa and H. Tsuchiya; “Novel Statistical Analysis of TDDB Lifetime in Cu/Low-k Interconnects Incorporating Overlay Error Model”, Proceedings of 2009 ADMETA, pp.126-127 (2009).
  • S. Yokogawa, Y. Kakuhara, and H. Tsuchiya; “Joule heating Effects on Electromigration in Cu/Low-k Interconnects”, Proc. of 2009 International Reliability Physics Symposium, pp.837-843 (2009).
  • T. Shimizu, I. Kato, T. Kitagaki, J. Taniguchi, T. Suzuki, T. Tsuboi, and S. Yokogawa; “Vth Fluctuations due to Random Telegraph Signal on Work Function Control in Hf-doped Silicate Gate Stack”, Proc. of 2009 International Reliability Physics Symposium, pp.389-394 (2009).
  • S. Yokogawa; “Scaling Impacts and Challenges on Reliability in Cu/low-k”, Proceedings of Advanced Metallization Conference 2008, pp.695-701 (2009), invited.
  • S. Yokogawa, D. Oshida, H. Tsuchiya, T. Taiji, T. Morita, Y. Tsuchiya, and T. Takewaki; “Prediction of Early Failure Due to Non-visual Defect on Time-Dependent Dielectric Breakdown of Low-k Dielectrics: Experimental Verification of a Yield-Reliability Model”, Proc. of 2008 International Reliability Physics Symposium, pp.144-149 (2008).
  • S. Yokogawa, Y. Kakuhara, H. Tsuchiya, and K. Kikuta; “Analytical Study of Impurity Doping Effects on Electromigration of Cu Interconnects by Employing Comprehensive Scattering Model”, Proc. of 2007 International Reliability Physics Symposium, pp. 117-121 (2007).
  • S. Yokogawa and H. Tsuchiya; “Impurity doping effects on electromigration performance of scaled-down Cu interconnects”, Proc. of 2007 International Workshop on Stress-Induced Phenomena in Metallization, pp.82-97 (2007), invited.
  • S. Yokogawa, K. Kikuta, H. Tsuchiya, T. Takewaki, M. Suzuki, H. Toyoshima, Y. Kakuhara, N. Kawahara, T. Usami, K. Ohto, K. Fujii, Y. Tsuchiya, K. Arita, K. Motoyama, M. Tohara, T. Taiji, T. Kurokawa, and M. Sekine; “A Novel Resistivity Measurement Technique for Scaled-down Cu Interconnects Implemented to Reliability-focused Automobile Applications”, Proc. of 2006 International Electron Device Meeting, pp.85-88 (2006).
  • S. Yokogawa and H. Tsuchiya; “Effects of Al Doping on Electromigration Performance of Narrow Single Damascene Cu Interconnects”, Proc. of 2006 International Reliability Physics Symposium, pp.667-668 (2006).
  • S. Yokogawa and H. Tsuchiya; “Scaling Impacts on Electromigration in Narrow Single-Damascene Cu Interconnects”, Proc. of 2004 International Workshop on Stress-Induced Phenomena in Metallization, pp.124-134 (2004), invited.
  • S. Yokogawa; “Electromigration Reliability of Damascene Copper Interconnects”, Proc. of Advanced Metallization Conference 2003, pp.259-269 (2004), invited.
  • S. Yokogawa and H. Takizawa; “Electromigration Induced Incubation, Drift and Threshold in Single-Damascene Copper Interconnects”, Proc. of 2002 International Interconnect Technology Conference, pp.127-129 (2002).
  • S. Yokogawa, N. Okada, Y. Kakuhara and H. Takizawa; “Electromigration Performance of Multi-level Damascene Copper Interconnects”, Proceedings of the 12th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (2001), invited.
  • K. Suzuki, K. Maki and S. Yokogawa; “An Analysis of Degradation Data of a Carbon Film and the Properties of the Estimators”, Stat. Sci. and Data Anal., pp.501-511 (1993).

他、多数

国内会議

  • 横澤成望, 横川慎二; "畳み込みニューラルネットワークを用いた設備特性劣化のオンラインモニタリングデータ分析", 第30回日本信頼性学会秋季信頼性シンポジウム発表報文集 (2017).
  • 横川慎二, 國井喬介; "テキストマイニングと機能共鳴分析法を用いた自動車のリコール情報の分析", 第30回日本信頼性学会秋季信頼性シンポジウム発表報文集 (2017).
  • 横川慎二; "システムの不具合における創発性の影響について", 第60回自動制御連合講演会, FrB3-3 (2017).
  • 市川晴久,横川慎二,川喜田佑介; "IoTソリューション基盤としての電力エネルギー制御プラットフォーム", 第60回自動制御連合講演会, FrB3-4 (2017).
  • 横川慎二,國井喬介,横澤成望;”リチウムイオン二次電池の劣化における二変量ストレスの交互作用に着目した統計モデリング”,2017年電気化学秋季大会予稿集,2D05 (2017).
  • 横川慎二;”半導体集積回路配線の信頼性課題と寿命予測 ”, 第64回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 15p-304-5 (2017).
  • 横川慎二;“信頼性の寿命分布に関する最近の動向ーばらつきとクラスタリングー” , 第26回RCJ電子デバイスの信頼性シンポジウム・信頼性セミナー講演 (2016).
  • 横川慎二, 長野祐児; "リチウムイオン二次電池の劣化における充放電サイクルと待機時間の影響", 第24回日本信頼性学会春季信頼性シンポジウム発表報文集, pp.49-52 (2016).
  • 長野祐児, 横川慎二; “リチウムイオン二次電池の製品事故におけるトップ事象モードに着目した未然防止に関する一考察”, 第28回日本信頼性学会秋季信頼性シンポジウム発表報文集,pp.49-52 (2015).
  • 横川慎二;“MOLの信頼性ー先端デバイスからパワーデバイスまでー” , 第25回RCJ電子デバイスの信頼性シンポジウム・信頼性セミナー講演 (2015).
  • 藤田進, 横川慎二, 鈴木和幸;“社会インフラの老朽化による事故とその未然防止への一考察”, 日科技連信頼性保全性シンポジウム予稿集 (2015).
  • 横川慎二;“リチウムイオン二次電池の再利用における信頼性の課題”, 日本品質管理学会第107回研究発表会発表要旨集, pp.79-82 (2015).
  • 横川慎二;“二次電池のリユースに関する信頼性・安全性の課題と信頼度予測について”, 電気通信大学情報システム学研究科シンポジウム第19回「信頼性とシステム安全性」予稿集、pp. 26-31 (2015).
  • 山崎 雄大,横川慎二, 鈴木和幸;“システム的アプローチと機能達成メカニズムに着目した信頼性・安全性トラブルの未然防止に関する一考察”, 電気通信大学情報システム学研究科シンポジウム第19回「信頼性とシステム安全性」予稿集 (2015).
  • 藤田進, 横川慎二, 鈴木和幸;“社会インフラの老朽化による事故とその未然防止への一考察”, 電気通信大学情報システム学研究科シンポジウム第19回「信頼性とシステム安全性」予稿集 (2015).
  • 藤丸儀治,横川慎二,鈴木和幸;“トップ事象モードに着目した未然防止とその応用 -医療・福祉用具への適用-”,2014年度日本信頼性学会春季シンポジウム予稿集, pp.37-40 (2014).
  • 藤丸儀治,横川慎二,鈴木和幸;“福祉用具と医療におけるトップ事象モードに着目した未然防止に関する一考察”,電気通信大学情報システム学研究科シンポジウム第18回「信頼性とシステム安全性」予稿集,pp.52-60 (2014).
  • 横川慎二;“リチウムイオン二次電池の充放電による容量劣化の予測に関する一考察”,2014年度日本信頼性学会秋季シンポジウム予稿集, pp.37-40 (2014).
  • 横川慎二;“プロセスのばらつきと信頼性” , 第24回RCJ電子デバイスの信頼性シンポジウム・信頼性セミナー講演 (2014).
  • 横川慎二;“リチウムイオン二次電池における充放電特性の温度依存性検証”, 第22回職業能力開発研究発表講演会講演論文集, pp.40-41 (2014).
  • 横川慎二;“応力-原子輸送モデルを用いた突き出し配線におけるストレス誘起ボイドの寿命予測”, 2014 International Reliability Physics Symposium 報告会, IEEE EDS Japan Chapter (2014).
  • 横川慎二;“原子輸送モデルと応力分布による突出し配線におけるストレス誘起ボイドのレイアウト依存性解析”,2014年度日本信頼性学会春季シンポジウム予稿集, pp.59-62 (2014).
  • 藤丸儀治,横川慎二,鈴木和幸;“トップ事象モードに着目した未然防止とその応用 -医療・福祉用具への適用-”,2014年度日本信頼性学会春季シンポジウム予稿集, pp.37-40 (2014).
  • 藤丸儀治,横川慎二,鈴木和幸;“福祉用具と医療におけるトップ事象モードに着目した未然防止に関する一考察”,電気通信大学情報システム学研究科シンポジウム第18回「信頼性とシステム安全性」予稿集,pp.52-60 (2014).
  • 横川慎二;“配線の故障物理と寿命分布解析”, 電気学会研究会資料電子回路研究会, ECT-13-108, pp.27-32 (2013).
  • 横川慎二;“ストレス誘起ボイドの信頼性保証に関する一考察”, 第23回RCJ電子デバイスの信頼性シンポジウム予稿集,pp.149-156 (2013).
  • 横川慎二;“原子輸送モデルによるCu/Low-k配線のストレス誘起ボイドの解析”, 2013年度日本信頼性学会春季シンポジウム予稿集, pp.77-80 (2013).
  • 横川慎二;“電子デバイスの配線信頼性における現状と課題”, ADMETA Plus 2012 Tutorial 講演 (2012), 招待講演.
  • 横川慎二; “Cu/low-k配線の信頼性 ―故障物理とその統計学―”, 第56回応用物理学会春季関係連合講演会 (2009), 招待講演.
  • 清水立雄, 加藤一郎, 横川慎二;“HfSiOxによる仕事関数制御MOSトランジスタにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ”, REAJ 第22回秋季信頼性シンポジウム予稿集, pp.61-64 (2009).
  • 横川慎二; “微細Cu配線のエレクトロマイグレーション:信頼性と抵抗率のトレードオフ”, 第68回応用物理学会学術講演会 (2007), 招待講演.
  • 横川,菊田,土屋,竹脇,鈴木,豊嶋,角原,川原,宇佐美,大音,藤井,土屋,有田,本山,戸原,泰地,黒川,関根;“微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法”,信学技法, SDM2006-251, pp.35-40 (2007), 招待講演.
  • 横川慎二; “シングルダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長”, 信学技法, SDM2003-226, pp.23-28 (2004), 招待講演.
  • 横川慎二;”サドンデスTEGとOBIRCHを用いたダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価”, 第16回REAJ信頼性シンポジウム予稿集, pp.29-32 (2003).

他、多数

教育系論文

  • 山下雅代, 横川慎二, 鈴木和幸;”日常の問題場面を用いた教材開発への一考察 ―問題解決事例の分析による目的設定の方法―”, 教材学研究, Vol.28, pp.35-46 (2017).
  • 入倉則夫, 奥猛文, 横川慎二; “東南アジアの在職職業訓練指導員の能力向上事業における統計的品質管理の学習”, 工学教育, Vol.64, No.3, pp. 84-89 (2016).
  • 横川慎二,奥猛文,入倉則夫; “マジックダイス実験を導入した品質管理教育の実践と分析”, 工学教育, Vol.63, No.3, pp. 86-92 (2015).

 

著書

  • 日本信頼性学会編纂(分担執筆);「新版信頼性ハンドブック」,日科技連出版(2014).
  • 二川清編著(分担執筆);「LSIの信頼性」,日科技連出版 (2010).
  • 真壁肇編著(分担執筆);「信頼性工学入門」,日本規格協会 (2010).
  • 鈴木和幸, 益田昭彦, 石田勉, 横川慎二;「信頼性データ解析」,日科技連出版 (2009).
  • LSIテスティング学会(分担執筆);「LSIテスティングハンドブック」,オーム社 (2008).
  • 鈴木和幸監修(分担執筆);「信頼性七つ道具 R7」,日科技連出版 (2008).
  • 新宮原ほか(分担執筆);「金属微細配線におけるマイグレーションのメカニズムと対策」, サイエンス&テクノロジー (2006).

 

解説記事

  • 横川慎二;”社会インフラの事故・不具合の未然防止における視点”, 品質, Vol.47, pp.15-20 (2017).
  • 横川慎二,市川晴久,曽我部東馬,澤田賢治,川喜田佑介;”再生可能エネルギー指向自律分散グリッドーバーチャルグリッドー”,日本信頼性学会誌,Vol.39,pp.8-15 (2017).
  • 横川慎二;“コンタクトの信頼性 ―Siデバイスから先端パワーデバイスまで―”, 日本信頼性学会誌, Vol. 37, pp.26-33 (2015).
  • 横川慎二;“連載 信頼性七つ道具−R7− 第7回ワイブル解析”,クオリティ マネジメント,(2011).
  • 横川慎二;“信頼性技術”, 電子情報通信学会・知識ベース,10群2編 4章−8,pp. 34-37 (2010).
  • 横川慎二;“先端デバイス開発におけるゆらぎとデータ解析”, 日本信頼性学会誌, Vol.31, No.8, pp.595-602 (2009).
  • 横川慎二;“先端デバイスの故障メカニズムと寿命分布”, 日本信頼性学会誌, Vol.30, No.8, pp.644-651 (2008).
  • RCJ故障物理研究委員会編; “半導体デバイスの信頼性基礎講座(5)”, 日本信頼性学会誌, Vol.29, No.8, pp.568-571 (2007).
  • 横川慎二; “先端LSIにおける配線技術と信頼性”, 日本信頼性学会誌, Vol.29, No.4, pp.190-197 (2007).
  • 横川慎二;“システムLSIの信頼性を測る”, 日本信頼性学会誌, Vol.27, No.3, pp.178-186 (2005).

 

他、多数